frd芯片与igbt芯片区别

内容一：

1、IGBT芯片掩膜版用于650V/150A、****V/75A IGBT芯片制造，每套IG（略）：①零层对准版，②场环版，③有源区版，④沟槽版，⑤沟道区版，⑥多晶版，⑦N型接触版，⑧孔接触版，⑨金属版，⑩钝化层版；掩膜版材质为石英双面贴膜，适用于8寸光刻机的****版。

2、FRD芯片掩膜版用于650V/150A FRD芯片制造，每套FRD芯片掩膜版包括六张：①零层对准版，②场环版，③有源区版，④孔接触版，⑤金属版，⑥钝化层版；

内容二：

1、IGBT（略）200V/75A IG（略），每套IGBT芯片掩膜版包括十张：①零层对准版，②场环版，③有源区版，④沟槽版，⑤沟道区版，⑥多晶版，⑦N型接触版，⑧孔接触版，⑨金属版，⑩钝化层版；掩膜版材质为石英双面贴膜，适用于8寸光刻机的****版。

2、FRD芯片掩膜版用于650V/150A FRD芯片制造，每套FRD芯片掩膜版包括六张：①零层对准版，②场环版，③有源区版，④孔接触版，⑤金属版，⑥钝化层版；