n沟道和p沟道mos管的区别

n沟道和p沟道mos管的区别 

N沟道和P沟道MOS管的主要区别有以下几个方面：

1. 芯片材质不同：虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同的。N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道，而P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。这是由于它们的工作原理不同，属于工艺方面的问题。

2. 价格：同等参数下，P沟道MOS管的价格通常更高。这是因为N沟道MOS管的芯片成本较低，且N沟道MOS管的载流子迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，因此要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。此外，N沟道MOS管的大规模量产和激烈的价格竞争也使得其价格更具优势。

3. 应用场景：N沟道MOS管和P沟道MOS管的应用场景也有所不同。例如，当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关，这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

4. 导通方式：N沟道MOS管需要从栅极到源极的正电压(VGS)才能导通，而P沟道MOS管则需要负电压(VGS)才能导通。这是因为P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。